杰盛微JSM2000G 250V快速高压侧NMOS静态开关驱动器

发布时间:2024/10/9 17:50:34




JSM2000G是一款快速、高压侧N沟道MOSFET 栅极驱动器,采用高达250V的输入电压工作。

该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET 开关的充电结构,因而使其能够无限期地保持导通。
其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极
电容,从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。
JSM2000G 采用SOP-8封装,可以在-40℃至125℃温度范围内工作。


应用范围:高边开关控制器、静态开关驱动器、负载和电源开关驱动器、电子阀驱动器、高频高压侧栅极驱动器、光伏关断器



性能参数介绍:
宽工作VIN:最高250V
针对快速导通和关闭通道,具有150ns传输延迟
内置高压侧充电电路,可实现100%占空比
可调导通占空比
栅极驱动器电源电压为4.5V至20V
VIN 过压闭锁
驱动器电源VCC欠压闭锁
 -欠压锁定正向阈值4.2V
 -欠压锁定负向阈值4V
兼容 3.3V,5V和15V输入逻辑
TS 负压耐受能力达-9V
输出级拉电流/灌电流能力290mA/600mA
符合 RoSH 标准

杰兴伟业批量供应杰盛微JSM2000G如有相关应用需求可在杰兴伟业官网进行样品免费申请,或者拨打0755-82812636/82812949询价订购喔!

上一篇:喜报|杰盛微荣获2024年度硬核功率器件奖
下一篇:Trench工艺沟槽MOS和平面工艺MOS的区别?如何选型?JSMSEMI杰盛微为你解答!