制造商:IXYS产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-3P-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:300 VId-连续漏极电流:88 ARds On-漏源导通电阻:40 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:20 V工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:600 W配置:Single通道模式:Enhancement封装:Tube系列:IXTQ88N30 晶体管类型:1 N-Channel 商标:IXYS 下降时间:25 ns 产品类型:MOSFET