制造商:IXYS产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-3P-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:300 VId-连续漏极电流:36 ARds On-漏源导通电阻:110 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:30 V工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:300 W配置:Single通道模式:Enhancement封装:Tube高度:20.3 mm