制造商:Qorvo产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管RoHS: 详细信息 晶体管类型:HEMT技术:GaN SiC增益:15 dB晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:-Vgs-栅源极击穿电压 :-Id-连续漏极电流:650 mA输出功率:10 W漏极/栅极电压:-工作温度:-工作温度:-Pd-功率耗散:12.5 W安装风格:SMD/SMT封装:Tray应用:Military Radar, Professional and Military Radio Communications 配置:Single 工作频率:DC to 6 GHz 系列:T2G 商标:Qorvo 正向跨导 - 值:- 开发套件:T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5 产品类型:RF JFET Transistors 工厂包装数量:100 子类别:Transistors