制造商:Qorvo产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管RoHS: 详细信息 晶体管类型:HEMT技术:GaN SiC增益:17.4 dB晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:50 VVgs-栅源极击穿电压 :- 2.8 VId-连续漏极电流:7.2 A输出功率:132 W工作温度:- 40 C工作温度:+ 85 CPd-功率耗散:140 W安装风格:SMD/SMT封装:Waffle配置:Single 工作频率:DC to 3.5 GHz 工作温度范围:- 40 C to + 85 C