制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:66 ARds On-漏源导通电阻:42 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:3 VVgs - 栅极-源极电压:25 VQg-栅极电荷:121 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:446 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:MDmesh系列:STW70N60DM2 商标:STMicroelectronics CNHTS:8541290000 下降时间:10.4 ns HTS Code:8541290095 MXHTS:85412999 产品类型:MOSFET 上升时间:67 ns 工厂包装数量:600 子类别:MOSFETs TARIC:8541290000 典型关闭延迟时间:112 ns 典型接通延迟时间:32 ns 单位重量:38 g