制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 模块RoHS: 详细信息 产品:IGBT Silicon Carbide Modules配置:Half Bridge集电极—发射极电压 VCEO:600 V集电极—射极饱和电压:2.15 V在25 C的连续集电极电流:3 A封装 / 箱体:N2DIP-26工作温度:+ 175 C封装:Tube系列:STGIPQ3H60T-HZ 商标:STMicroelectronics 安装风格:Through Hole CNHTS:8541290000 HTS Code:8541290095 MXHTS:85412999 产品类型:IGBT Modules 工厂包装数量:360 子类别:IGBTs TARIC:8541290000 商标名:SLLIMM 单位重量:4 mg