制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:550 VId-连续漏极电流:20.8 ARds On-漏源导通电阻:80 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:5 VVgs - 栅极-源极电压:25 VQg-栅极电荷:72 nCPd-功率耗散:190 W配置:Single商标名:MDmesh封装:Tube系列:STP36N55M5 晶体管类型:1 N-Channel 商标:STMicroelectronics CNHTS:8541290000 HTS Code:8541290095 MXHTS:85412999 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:1000 子类别:MOSFETs TARIC:8541290000 单位重量:330 mg