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LMG1210 GaN 驱动器经精心设计, 应用中 ,并 具有 可提供超高频可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 1.5ns 高侧/低侧匹配,以优化系统效率。
GaN FET 上额外的寄生电容被化至小于 1pF,以减少额外的开关损耗。外部自举二极管用于对高侧自举电容器充电,以便提供适用于电路工作条件的选择。
LMG1210RVRT LMG1210RVRR 当低侧不导通时,内部开关会关闭自举二极管,以有效防止高侧自举过度充电,并在将硅二极管用作自举二极管时将反向恢复电荷降至。
50MHz 的超高速运行
10ns 典型传播延迟
1.5ns 高侧至低侧匹配
脉冲宽度为 3ns
1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流
两个控制输入选项
具有可调死区时间的单个 PWM 输入
独立输入模式
300V/ns 的高 CMTI 抗扰度
外部自举二极管可实现灵活性
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