意法半导体于2016年8月3日发布了端子间距达到4.25mm的＋1500V耐压的功率MOSFET“STFH12N150K5”。采用TO-220 FullPAK（TO-220FP）封装。原产品的端子间距为2.54mm，新产品扩大到了4.25mm。而且，新产品不需要在端子间填充树脂来防止由垃 圾及灰尘等引起的电弧放电，也不需要引线成型及绝缘套管等工艺。电源厂商利用该产品更容易满足安全标准，同时可以将电磁场上的故障发生降至。新产品适 用于液晶电视及电脑等配备的开关电源。

新 产品为采用超结（SJ）结构的功率MOSFET，利用意法半导体独有的“MDmesh K5”技术制造，属于n通道型。漏电流为7A。当栅极-源极间电压为＋10V时，导通电阻为1.9Ω（值）。该公司称，“单位面积的导通电阻属于 业内水平”。总栅极电荷为47nC（标称值）。“FoM（Figure of Merit、导通电阻与总栅极电荷的乘积）在同类产品中最出色”（意法半导体）。输入电容为1360pF（标称值）。输出电容为80pF（标称值）。反馈 电容为0.7pF（标称值）。栅极电阻为3Ω（标称值）。工作接合部温度范围在-55～＋150℃。价格未公布。

此外，＋600V耐压的 功率MOSFET和＋1200V的功率MOSFET方面，也准备了端子间距为4.25mm的TO-220FP封装产品。＋600V耐压产品是利用意法半导 体独有的“MDmesh M2”技术制造的，有漏电流为8～34A的多款产品。＋1200V耐压产品是利用“MDmesh K5”技术制造的。价格均未公布。