IR扩充60V StrongIRFET MOSFET系列 以标准和高性能功率封装为工业应用提供极低导通电阻

发布时间:2014/9/2 17:31:02

功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩充60V StrongIRFET功率MOSFET系列,采用多种标准和高性能功率封装。全新MOSFET适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用,包括电动工具、轻型电动车 (LEV) 逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护和开关模式电源 (SMPS) 二次侧同步整流应用等。

经过扩充的60V StrongIRFET系列提供穿孔式封装和表面贴装封装,其中IRF7580M器件采用超精密的中罐式 (ME) DirectFET封装,可提供大电流密度,有效缩减整体系统尺寸并降低成本,适用于空间受限的大功率工业设计。

全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列共有19款器件,均配有可提升低频率应用性能的极低导通电阻、极高的载流能力、软体二极管和有助于提高噪声免疫力的3V典型阀值电压。该系列的每款器件都完全通过业界雪崩电流级别的雪崩测试,能够为要求严格的工业应用提供最坚固耐用的解决方案。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR广泛的60V StrongIRFET MOSFET产品系列具有适合工业市场的低导通电阻和大电流能力,并提供多种封装选择,使设计师能够基于性价比标准灵活选择最适合其应用的器件。”

与DirectFET系列的其它器件一样,全新IRF7580M中罐式封装器件提供能改善可靠性的无键合线设计。DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求,例如提供完全不含铅的物料清单,因此非常适合长生命周期的设计。而其它同类高性能封装则采用含铅的裸片贴装,虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a) 项豁免条款,但这项豁免将于2016年到期。

规格 
采用表面贴装封装的60V StrongIRFET

器件编号 BVDSS 25oC时的ID VGS为10V时的导通电阻 VGS为10V时的Qg 封装
IRF7580M 60V 116A 3.6 120 中罐式 (ME)
DirectFET
IRFS7530-7P 240A 1.4 236 D2-PAK-7
IRFS7534-7P 240A 1.9 200 D2-PAK-7
IRFS7530 195A 2.0 274 D2-PAK
IRFS7534 195A 2.4 180 D2-PAK
IRFH7085 100A 3.2 110 PQFN 5x6 (B)
IRFR7540 110A 4.8 85 D-PAK
IRFS7537 195A 3.3 142 D2-PAK
IRFS7540 110A 5.1 88 D2-PAK
IRFH7545 85A 5.2 73 PQFN 5x6 (E)
IRFR7546 71A 7.9 58 D-PAK

采用穿孔式封装的60V StrongIRFET
器件编号 BVDSS 25oC时的ID VGS为10V时的导通电阻 VGS为10V时的Qg 封装
IRFB7530 60V 195A 2.0 274 TO-220
IRFP7530 195A 2.0 274 TO-247
IRFB7534 195A 2.4 186 TO-220
IRFB7537 195A 3.3 142 TO-220
IRFP7537 195A 3.3 142 TO-247
IRFB7540 110A 5.1 88 TO-220
IRFB7545 85A 5.9 75
IRFB7546 58A 7.3 58

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