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制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 150 mA

Rds On-漏源导通电阻: 5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 330 mW

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.02 mm  

长度: 3.04 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: ZVN3306  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: FET  

宽度: 1.4 mm  

商标: Diodes Incorporated  

正向跨导 - 值: 150 mS  

下降时间: 5 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 4 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 4 ns  

典型接通延迟时间: 3 ns  

单位重量: 8 mg