MT6315是具有内置MR磁阻元件和CMOS开关的单片集成电路。集成电路

内部包括MR电桥、用于在3.0V至30V电源电压下工作的电压调节器、a用于定时控制的睡眠/唤醒逻辑、小信号放大器和具有动态特性的施密特触发比较器偏移消除，以及具有内部100KΩ上拉电阻的开放漏极输出。

当与磁铁结合时，它成为工作电压范围宽、灵敏度高、可靠性高的非接触开关。可以检测平行于封装电极的水平磁场，以任意的极性。

MT6315ET特征：

MR+CMOS单片结构

高灵敏度

BOP=±22高斯，BRP=±19高斯

宽操作电压范围：3～30V

宽工作温度范围：-40～125°C

高工作频率:5KHz

内置100KΩ升压电阻

RoHs符合2011/65/.

MT6315ET应用：

位置检测

接近检测

速度检测

引脚定义：

方框图：

磁性参数的定义：

BOP：工作点，使输出驱动器打开的磁通密度（VOUT=.）

BRP：释放点，使输出驱动器关闭的磁通密度（VOUT=高）

BHYST：滞后窗口，|BOP-BRP|

开关函数的定义：

评级：

额定值是单独应用的限制值，超过这个限制值，

电路可能受损。功能操作性不一定是隐含的。暴露

延长时间的额定条件可能影响设备的可靠性。

额定值：列出的所有电压都参考GND