SI4166DY-T1-GE3 ,分立半导体产品

发布时间:2015/6/13 11:42:00

全新原装,公司现货销售。

数量:7500pcs。

参数:


FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30.5A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 3.9 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 65nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2730pF @ 15V
功率 - 值 6.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

深圳市宏世佳电子科技有限公司
联系电话:0755-82556029 82532511
传真     :0755-82568063

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