产品属性
类型描述选择 
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个  
制造商 Infineon Technologies  
系列 HEXFET®  
包装 管件  
零件状态 在售  
FET 类型 N 通道  
技术 MOSFET（金属氧化物）  
漏源电压（Vdss） 55 V  
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 110A（Tc）  
驱动电压（  Rds On， Rds On） 10V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻  8 毫欧 @ 62A，10V  
不同 Id 时 Vgs(th)  4V @ 250μA  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)  146 nC @ 10 V  
Vgs  ±20V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)  3247 pF @ 25 V  
FET 功能 -  
功率耗散  200W（Tc）  
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  
安装类型 通孔  
供应商器件封装 TO-220AB  
封装/外壳 TO-220-3  
基本产品编号 IRF3205