产品属性
类型描述选择 
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个  
制造商 onsemi  
系列 Automotive, AEC-Q101  
包装 卷带（TR）剪切带（CT） 
零件状态 在售  
FET 类型 P 通道  
技术 MOSFET（金属氧化物）  
漏源电压（Vdss） 60 V  
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.8A（Ta）  
驱动电压（ Rds On，  Rds On） 4.5V，10V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻  111 毫欧 @ 2.9A，10V  
不同 Id 时 Vgs(th)  3V @ 250μA  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)  18.1 nC @ 10 V  
Vgs ±20V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)  942 pF @ 30 V  
FET 功能 -  
功率耗散  600mW（Ta）  
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  
安装类型 表面贴装型  
供应商器件封装 6-TSOP  
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  
基本产品编号 NVGS5120