IRF3205PBF 产品信息：

一般信息

数据列表 IRF3205;

标准包装   50

包装   管件  

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 HEXFET®

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 110A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 8 毫欧 @ 62A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 146nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 3247pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 200W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

IRF3205PBF  技术资料：

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品牌资料：

Infineon英飞凌公司是十大半导体制造商之一。1999年5月1日，西门子半导体公司正式更名为Infineon英飞凌，总部设在德国慕尼黑。主要生产汽车和工业电子芯片、保密及IC卡应用IC、通讯多媒体芯片、存储器件等。Infineon英飞凌公司在亚、欧、美三大洲5个国家拥有10个制造工厂，在九个国家设有16个研发中心。