IRF820 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单

发布时间:2018/4/3 21:02:54

零件编号 IRF820SPBF-ND

制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

IRF820SPBF

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 500V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 24nC @ 10V

Vgs(值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 360pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(值) 3.1W(Ta),50W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 3 欧姆 @ 1.5A,10V

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK

封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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