NDT3055L分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单

发布时间:2018/4/3 10:24:50

零件编号 NDT3055LTR-ND

现有数量 5000

检查提前期

制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

NDT3055L

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 20nC @ 10V

Vgs(值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 345pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(值) 3W(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 100 毫欧 @ 4A,10V

工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-223-4

封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA

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