零件编号 IRF9Z24NPBF-ND

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制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IRF9Z24NPBF

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 19nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 350pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 45W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 175 毫欧 @ 7.2A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

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