金属氧化物场效应晶体管也称为电压控制场效应晶体管。在这里，金属氧化物栅极电子通过称为玻璃的二氧化硅薄层与n沟道和p沟道电绝缘。
    漏极和源极之间的电流与输入电压成正比
    这是一个三端设备，即栅极，漏极和源极。根据沟道的功能，有两种类型的MOSFET，即p沟道MOSFET和n沟道MOSFET。
    有两种形式的金属氧化物场效应晶体管，即耗尽型和增强型。
    耗尽类型：需要Vgs，即栅极-源极电压要关闭，耗尽模式等于常闭开关。

    Vgs = 0，如果Vgs为正，则电子较多；如果Vgs为负，则电子较少。

    增强类型：需要Vgs，即打开栅极电源和增强模式等于常开开关。

    此处，附加端子为衬底 》用于接地。

    门电源电压（Vgs）大于阈值电压（Vth）