STT818B ST Trans GP BJT PNP 30V 3A 6-Pin SOT-23

STT818B产品详细规格

标准包装 3，000

晶体管类型 PNP

- 集电极电流（Ic）（） 3A

电压 - 集电极发射极击穿（） 30V

Vce饱和（）@ IB，IC 500mV @ 20mA， 2A

电流 - 集电极截止（） -

直流电流增益（HFE）（值）@ IC，VCE 100 @ 500mA， 1V

功率 - 1.2W

频率转换 -

安装类型 Surface Mount

包/盒 SOT-23-6

供应商器件封装 SOT-23-6L

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 6SOT-23

类型 PNP

引脚数 6

集电极发射极电压 30 V

集电极直流电流 3 A

直流电流增益 100@500mA@1V|100@2.5A@3V

集电极发射极饱和电压 0.15@5mA@0.5A|0.25@20mA@1.2A|0.5@20mA@2A V

工作温度 -65 to 150 °C

功率耗散 1200 mW

安装 Surface Mount

标准包装 Tape & Reel

集电极直流电流 3

欧盟RoHS指令 Compliant

工作温度 150

标准包装名称 SOT-23

工作温度 -65

功率耗散 1200

基地发射极电压 5

封装 Tape and_Reel

每个芯片的元件数 1

集电极基极电压 30

供应商封装形式 SOT-23

集电极发射极电压 30

铅形状 Gull-wing

P（ TOT ） 1.2W

匹配代码 STT818B

I（C ） 3A

V（ CEO ） 30V

单位包 3000

标准的提前期 12 weeks

起订量 3000

极化 PNP

无铅Defin RoHS-conform

电流增益 100

V（ CBO ） 30V

电流 - 集电极（ Ic）（） 3A

晶体管类型 PNP

安装类型 Surface Mount

下的Vce饱和度（） Ib，Ic条件 500mV @ 20mA， 2A

电压 - 集电极发射极击穿（） 30V

供应商设备封装 SOT-23-6L

功率 - 1.2W

封装/外壳 SOT-23-6

直流电流增益（ hFE）（值） Ic，Vce时 100 @ 500mA， 1V

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名称 497-6589-1

类别 Bipolar Power

配置 Single Quad Collector

外形尺寸 1.3 x 3.05 x 1.75mm

身高 1.3mm

长度 3.05mm

的基射极饱和电压 1.2 V

集电极基极电压 30 V

基地发射极电压 5 V

工作温度 +150 °C

工作温度 -65 °C

包装类型 SOT-23

宽度 1.75mm

工厂包装数量 3000

集电极 - 发射极饱和电压 - 0.21 V

产品种类 Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性 PNP

发射极 - 基极电压VEBO - 5 V

直流集电极/增益hfe值 100

集电极 - 发射极电压VCEO - 30 V

安装风格 SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO - 30 V

RoHS RoHS Compliant

连续集电极电流 - 3 A

集电极电流（ DC）（值） 3 A

集电极 - 基极电压 30 V

集电极 - 发射极电压 30 V

发射极 - 基极电压 5 V

功率耗散 1.2 W

工作温度范围 -65C to 150C

元件数 1

直流电流增益（值） 100

工作温度分类 Military

弧度硬化 No

直流电流增益 100

集电极电流（DC ） 3 A