FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）90mA（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）14 欧姆 @ 200mA，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3.5V @ 1mAVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）50pF @ 18VFET 功能-功率耗散（值）330mW（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23-3封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3