NSS20200LT1G晶体管

发布时间:2018/10/16 13:04:19

晶体管类型PNP电流 - 集电极(Ic)(值)2A电压 - 集射极击穿(值)20V不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(值)180mV @ 200mA,2A电流 - 集电极截止(值)100nA(ICBO)不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(值)250 @ 500mA,2V功率 - 值460mW频率 - 跃迁100MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ

上一篇:ADR440BRZ集成电路
下一篇:MPXV5004GC6U传感器