晶体管类型NPN电流 - 集电极（Ic）（值）500mA电压 - 集射极击穿（值）32V不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（值）600mV @ 50mA，500mA电流 - 集电极截止（值）1μA（ICBO）不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值）120 @ 100mA，3V功率 - 值200mW频率 - 跃迁250MHz工作温度150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装SMT3