SI7460DP-T1-E3产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant 
标准包装 3,000 
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide 
FET特点 Logic Level Gate 
漏极至源极电压（VDSS） 60V 
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 11A 
Rds（）@ ID，VGS 9.6 mOhm @ 18A, 10V 
VGS（TH）（）@ Id 3V @ 250μA 
栅极电荷（Qg）@ VGS 100nC @ 10V 
输入电容（Ciss）@ Vds的 - 
功率 - 1.9W 
安装类型 * 
包/盒 * 
供应商器件封装 * 
包装材料 * 
包装 8PowerPAK SO 
通道模式 Enhancement 
漏源电压 60 V 
连续漏极电流 11 A 
RDS -于 9.6@10V mOhm 
门源电压 ±20 V 
典型导通延迟时间 20 ns 
典型上升时间 16 ns 
典型关闭延迟时间 75 ns 
典型下降时间 30 ns 
工作温度 -55 to 150 °C 
安装 Surface Mount 
标准包装 Tape & Reel 
门源电压 ±20 
欧盟RoHS指令 Compliant 
工作温度 150 
工作温度 -55 
包装高度 1.04 
功率耗散 1900 
渠道类型 N 
封装 Tape and Reel 
漏源电阻 9.6@10V 
漏源电压 60 
每个芯片的元件数 1 
包装宽度 5.89 
供应商封装形式 PowerPAK SO 
包装长度 4.9 
PCB 8 
连续漏极电流 11 
引脚数 8 
铅形状 No Lead 
FET特点 Logic Level Gate 
安装类型 Surface Mount 
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 11A 
的Vgs（th ） （）@ Id 3V @ 250μA 
漏极至源极电压（Vdss） 60V 
供应商设备封装 PowerPAK® SO-8 
开态Rds（）@ Id ，V GS 9.6 mOhm @ 18A, 10V 
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide 
功率 - 1.9W 
闸电荷（Qg ） @ VGS 100nC @ 10V 
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant 
其他名称 SI7460DP-T1-E3CT 
工厂包装数量 3000 
产品种类 MOSFET 
晶体管极性 N-Channel 
配置 Single 
源极击穿电压 +/- 20 V 
连续漏极电流 18 A 
正向跨导 - 闵 60 S 
安装风格 SMD/SMT 
RDS（ON） 9.6 mOhms 
功率耗散 5.4 W 
工作温度 - 55 C 
封装/外壳 PowerPAK SO-8 
零件号别名 SI7460DP-E3 
上升时间 16 ns 
工作温度 + 150 C 
漏源击穿电压 60 V 
RoHS RoHS Compliant 
下降时间 30 ns 
系列 SI7 
品牌 Vishay Semiconductors 
商品名 TrenchFET 
技术 Si