制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

NTLJD3115PT1G

描述

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

系列 -

规格

FET 类型 2 个 P 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 100 毫欧 @ 2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 6.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 531pF @ 10V

功率 - 值 710mW

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装 6-WDFN（2x2）

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