安森美代理商及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和ON代理商网络.安森美半导体前身是摩托罗拉集团的半导体元件部门,于1999年独立上市。
型号：
厂商：ON
规格
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FET 类型
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P 沟道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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20V
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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24A（Tc）
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驱动电压（ Rds On， Rds On）
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4.5V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
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1V @ 250μA
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）
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35nC @ 5V
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）
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1590pF @ 10V
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Vgs（值）
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±8V
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FET 功能
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-
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功率耗散（值）
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60W（Tc）
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
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50 毫欧 @ 12A，4.5V
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工作温度
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C
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安装类型
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表面贴装
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供应商器件封装
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D2PAK（TO-263AB）
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封装/外壳
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TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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