科锐成立于1987年，是美国上市公司(1993年，纳斯达克:CREE)，为LED外延、芯片、封装、LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的制造商和行业者
型号：
C2M0280120D
厂商：
Cree
一般信息
规格
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FET 类型
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N 沟道
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技术
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SiCFET（碳化硅）
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漏源电压（Vdss）
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1200V（1.2kV）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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10A（Tc）
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驱动电压（ Rds On， Rds On）
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20V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
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2.8V @ 1.25mA（标准）
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）
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20.4nC @ 20V
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）
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259pF @ 1000V
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Vgs（值）
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+25V，-10V
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FET 功能
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-
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功率耗散（值）
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62.5W（Tc）
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
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370 毫欧 @ 6A，20V
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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通孔
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供应商器件封装
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TO-247-3
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