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厂商 Vishay Siliconix

型号 SI6415DQ-T1-E3

 

一般信息

标准包装   3,000

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 TrenchFET®

其它名称 SI6415DQ-T1-E3TR

SI6415DQT1E3

 

规格

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1V @ 250μA（）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 70nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） -

Vgs（值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（值） 1.5W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 19 毫欧 @ 6.5A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-TSSOP

封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）