目前，中国的半导体分立器件产业已经在国际市场占有举足轻重的地位并保持着持续、快速、稳定的发展。随着电子整机、消费类电子产品等市场的持续升温，半导体分立器件仍有很大的发展空间，因此，有关SIC基、GSN基以及封装等新技术新工艺的发展，新型分立器件在汽车电子、节能照明等热点领域的应用前景等成了广受关注的问题。
型号：
| STU7NM60N |
标准包装 
|
75 |
|---|---|
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 系列 | MDmesh™ II |
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 5A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On， Rds On） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） | 14nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） | 363pF @ 50V |
| Vgs（值） | ±25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（值） | 45W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） | 900 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
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