晶体管在使用上有许多要注意的额定值，例如电压、电流、功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
型号：
厂商：ON
一般信息
规格
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FET 类型
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N 沟道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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150V
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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4A（Ta），29A（Tc）
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驱动电压（ Rds On， Rds On）
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6V，10V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
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4V @ 250μA
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）
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34nC @ 10V
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）
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1770pF @ 25V
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Vgs（值）
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±20V
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FET 功能
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-
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功率耗散（值）
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135W（Tc）
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
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54 毫欧 @ 9A，10V
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装
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供应商器件封装
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TO-252AA
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封装/外壳
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TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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