东芝于2016年6月30日将视频业务移交给TVS运营，正如2016年11月11日东芝发布的“2016财年第二季度决算（6个月累计）”所介绍的，东芝致力于继续推进视频业务发展并强化财务体制结构改革。根据此前的研究以及与候选受让企业的交涉结果，今天，我们与海信达成了转让TVS股权的相关事宜，并正式签署了转让协议。

型号：

厂商：

TOSHIBA

一般信息

数据列表 Mosfets Prod Guide; TPC8022-H; 标准包装   3,000 包装   标准卷带  类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -

规格

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.5A（Ta） 驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 650pF @ 10V Vgs（值） ±20V FET 功能 - 功率耗散（值） 1W（Ta） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 27 毫欧 @ 3.8A，10V 工作温度 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 8-SOP（5.5x6.0） 封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）

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