1999年5月1日,西门子半导体公司正式更名为Infineon,总部设在德国慕尼黑。主要生产汽车和工业电子芯片、保密及IC卡应用IC、通讯多媒体芯片、存储器件等。1998年Infineon公司是十大半导体制造商之一。该公司在亚、欧、美三大洲5个国家拥有10个制造工厂,在九个国家设有16个研发中心,1998年员工约25,000人,主要合作伙伴有Motorola、IBM、MoselVitelic等。
型号:
厂商:
一般信息
规格
FET 类型
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N 沟道
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技术
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MOSFET(金属氧化物)
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漏源电压(Vdss)
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55V
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
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5.2A(Ta)
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驱动电压( Rds On, Rds On)
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4.5V,10V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(值)
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2V @ 50μA
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不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)
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42nC @ 10V
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)
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1390pF @ 25V
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Vgs(值)
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±20V
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FET 功能
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-
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功率耗散(值)
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1.8W(Ta)
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不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)
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33 毫欧 @ 2.6A,10V
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工作温度
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-55°C ~ 150°C(TJ)
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安装类型
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表面贴装
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供应商器件封装
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PG-SOT223-4
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