类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1500pF @ 15V
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 2.1W（Ta），30W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 10 毫欧 @ 20A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装




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深圳市中意法电子科技有限公司
联系人：唐梅芳
电话: (86)-0755-83267375/15989494794
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中意法电子连续8年荣获“电子元器件行业十大优质供应商


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