| 数据列表 |
NTF2955,NVF2955 |
|---|---|
| 产品相片 |
SOT223-3L |
| PCN 设计/规格 |
Datasheet MSL Updated 2/April/2007 Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013 |
| PCN 组件/产地 |
TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 |
分立半导体产品 |
| 家庭 |
FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷（TR） |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 1.7A（Ta） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） | 185 毫欧 @ 2.4A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 14.3nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 492pF @ 25V |
| 功率 - 值 | 1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 产品目录页面 |
1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 |
NTF2955T1GOSTR |
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