数据列表	SIHG20N50C
产品相片	TO-247-3
特色产品	SiHP18N50C/SiHG20N50C MOSFETs
PCN 组件/产地	SIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014
标准包装	500
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	-
包装	散装
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源极电压（Vdss）	500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	20A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）	270 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）	5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	76nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	2942pF @ 25V
功率 - 值	250W
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-247-3
供应商器件封装	TO-247AC
产品目录页面	1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	SIHG20N50CE3

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