数据列表	IRFD120
产品相片	4-DIP
产品目录绘图	IR(F,L)D Series Side 1 IR(F,L)D Series Side 2
标准包装	2,500
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	-
包装	管件
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源极电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.3A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）	270 毫欧 @ 780mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）	4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	360pF @ 25V
功率 - 值	1.3W
安装类型	通孔
封装/外壳	4-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装	4-DIP，Hexdip，HVMDIP
产品目录页面	1529 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	*IRFD120PBF

深圳市中意法电子科技有限公司

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