数据列表	IRF830PBF Packaging Information
产品相片	TO-220AB
产品目录绘图	IR(F,L)x Series Side 1 IR(F,L)x Series Side 2
PCN 组件/产地	PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
标准包装	50
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	-
包装	管件
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源极电压（Vdss）	500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	4.5A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）	1.5 欧姆 @ 2.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）	4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	610pF @ 25V
功率 - 值	74W
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB
产品目录页面	1528 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	*IRF830PBF

深圳市中意法电子科技有限公司

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