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深圳市中意法电子科技有限公司
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中意法电子连续四年荣获“电子元器件行业十大优质供应商

数据列表	IRF630N
产品相片	TO-220AB PKG
产品培训模块	High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN 组件/产地	TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013
PCN 封装	Package Drawing Update 19/Aug/2015
EDA / CAD 模型	从 Accelerated Designs
标准包装	50
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	HEXFET®
包装	管件
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源极电压（Vdss）	200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	9.3A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）	300 毫欧 @ 5.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）	4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	575pF @ 25V
功率 - 值	82W
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB