制造商: NXP

产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性: N-Channel

技术: Si

Id-连续漏极电流: 29 A

Vds-漏源极击穿电压: 65 V

Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms

工作温度: - 65 C

工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT502B

封装: Reel

配置: Single  

高度: 4.72 mm  

长度: 20.7 mm  

类型: RF Power MOSFET  

宽度: 9.91 mm  

商标: NXP Semiconductors  

通道模式: Enhancement  

产品类型: RF MOSFET Transistors  

工厂包装数量: 100  

子类别: MOSFETs  

Vgs - 栅极-源极电压: 13 V