供应:SIR622DP-T1-GE3

发布时间:2019/3/5 11:24:19

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 51.6 A

Rds On-漏源导通电阻: 17.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 27 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 104 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: ThunderFET, PowerPAK

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.04 mm  

长度: 6.15 mm  

系列: SIR  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.15 mm  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 值: 33 S  

CNHTS: 8541290000  

下降时间: 6 ns  

HTS Code: 8541290095  

MXHTS: 85412999  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 6 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8541290000  

典型关闭延迟时间: 18 ns  

典型接通延迟时间: 13 ns  

单位重量: 506.600 mg


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