制造商: NXP

产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  详细信息  

晶体管极性: N-Channel

Id-连续漏极电流: 2.6 A

Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 30 V

技术: Si

增益: 20.8 dB

输出功率: 3.2 W

工作温度: - 40 C

工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-89-3

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

工作频率: 1.8 MHz to 941 MHz  

类型: RF Power MOSFET  

商标: NXP / Freescale  

通道数量: 1 Channel  

Pd-功率耗散: 30.5 W  

产品类型: RF MOSFET Transistors  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 12 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V  

单位重量: 50.800 mg