制造商: Infineon

产品种类: IGBT 模块

RoHS: N  

产品: IGBT Silicon Modules

配置: Hex

集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 1.7 V

在25 C的连续集电极电流: 325 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

Pd-功率耗散: 1.15 kW

封装 / 箱体: EconoPACK+

工作温度: - 40 C

工作温度: + 125 C

封装: Tray

高度: 17 mm  

长度: 162 mm  

宽度: 150 mm  

商标: Infineon Technologies  

安装风格: Screw  

栅极/发射极电压: +/- 20 V  

工厂包装数量: 4  

零件号别名: FS225R12KE3BOSA1 SP000100404  

单位重量: 1 kg