供应:晶体管 IPB042N10N3 G

发布时间:2018/1/14 22:24:47

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 117 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 175 C

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 4.4 mm  

长度: 10 mm  

系列: OptiMOS 3  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 9.25 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 值: 73 S  

下降时间: 14 ns  

Pd-功率耗散: 214 W  

上升时间: 59 ns  

工厂包装数量: 1000  

典型关闭延迟时间: 48 ns  

典型接通延迟时间: 27 ns  

零件号别名: IPB042N10N3GATMA1 IPB42N1N3GXT SP000446880  

单位重量: 4 g


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