制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: 7.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Rds On-漏源导通电阻: 800 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 100 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Reel
商标: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 6 ns
正向跨导 - 值: 3.5 S
工作温度: - 55 C
上升时间: 8 ns
系列: STD5NM50
工厂包装数量: 2500