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深圳市汇创佳电子新到原装SI4816BDY-T1-E3
发布时间：2023/9/21 15:02:57
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOIC-8
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
6.8 A, 11.4 A
Rds On-漏源导通电阻:
11.5 mOhms, 18.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1 V
Qg-栅极电荷:
7.8 nC, 11.6 nC
zui小工作温度:
- 55 C
zui大工作温度:
%2B 150 C
Pd-功率耗散:
1.4 W, 2.4 W
通道模式:
Enhancement
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