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数据列表VN2222LL

标准包装  2,000

包装  标准卷带 

零件状态  在售

类别  分立半导体产品

产品族  晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）230mA（Tj）驱动电压（ Rds On， Rds On）5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）7.5 欧姆 500mA，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.5V  1mAVgs（值）±30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）60pF  25VFET 功能-功率耗散（值）400mW（Ta），1W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-92-3封装/外壳TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）