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数据列表IRLML6401PbF

标准包装  3,000

包装  标准卷带 

零件状态    在售

类别    分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET

规格FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）12V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.3A（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）1.8V，4.5V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）50 毫欧 @ 4.3A，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）950mV @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）15nC @ 5VVgs（值）±8V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）830pF @ 10VFET 功能-功率耗散（值）1.3W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装Micro3™/SOT-23封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3