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数据列表  IRFP250NPbF

标准包装  25

包装  管件

 零件状态  在售

类别  分立半导体产品

产品族  晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）200V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）30A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）75 毫欧  18A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V  250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）123nC  10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2159pF  25VFET 功能-功率耗散（值）214W（Tc）工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-247AC封装/外壳TO-247-3